반도체 실리콘 웨이퍼에 대한 간단한 이해
하나， 반도체 웨이퍼 소개
- 의 연구 연구에서 비롯된 반도체 고체 물리학 및 전자 과학. ~ 안에 1938, 쇼의 종이 “금속-반도체 인터페이스에서 정류” 반도체 부품의 성능과 고체 물리학의 기초 연구를 최초로 연결.
- 끝에 1947, 최초의 트랜지스터는 Bell Labs에서 탄생했습니다.. 고체 물리학에 대한 초기 연구는 트랜지스터로 게르마늄 결정을 기반으로 했습니다., 그러나 실리콘 트랜지스터의 가장 큰 장점은 고온 환경에서 사용할 수 있다는 것입니다. 100 도, 게르마늄 트랜지스터는 기능이 없습니다. 70 도, 적용 범위를 심각하게 제한하는.
- ~ 안에 1954, Thiel은 Texas Instruments에서 Czochralski 단결정 방법을 사용하여 결정을 성장시켰습니다., 세계 최초의 실리콘 트랜지스터를 만들었습니다., 실리콘 기반 솔리드 스테이트 전자 시대를 열다.
반도체 재료로서의 실리콘의 장점:
1. 실리콘 매장량 26.8% 지구에, 산소 다음으로 두 번째
2. 실리콘은 에너지 갭이 크다 (1.13V), 더 높은 작동 온도와 더 낮은 누설 전류를 가능하게 합니다.
3. 실리콘 웨이퍼 표면의 SiO2 층은 고온을 견디고 실리콘 웨이퍼를 보호할 수 있습니다.
- 실리콘 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼라고도 함, 반도체 칩 제조에 가장 중요한 기초 소재, 주요 원료는 단결정 실리콘입니다..
- 실리콘 웨이퍼는 실리콘으로 만들어진 시트 같은 물체입니다., 일반적으로 고순도 결정질 실리콘으로 만들어진. 다른 재료에 비해, 결정질 실리콘의 분자 구조는 매우 안정적입니다., 적은 자유 전자로.
- 반도체소자는 포토리소그래피(photolithography)를 통해 실리콘의 분자구조를 변화시켜 최종적으로 얻어지는 비도전성 제품이다., 이온 주입 및 전도성 향상을 위한 기타 수단.
둘， 반도체 웨이퍼 분류
- 반도체 실리콘 웨이퍼 ~에 대해 설명하다 37% 반도체 제조 재료 시장의, 반도체 제조 3대 핵심소재 중 1위. .
- 실리콘 웨이퍼의 핵심적인 어려움은 고순도 요구 사항에 있습니다., 일반적으로 9N 이상 필요.
- IC 제조에 사용되는 웨이퍼는 모두 단결정 실리콘 웨이퍼입니다., 특정 실리콘 웨이퍼 사양은 세 가지 범주로 나눌 수 있습니다.: 폴리싱된 웨이퍼 PW/AW, 에피택시 웨이퍼 EW 및 실리콘 온 인슐레이터 SOI.
삼， 실리콘 웨이퍼 생산 공정
- 생산 공정 흐름의 관점에서, 폴리실리콘의 준비, 그만큼 주괴 실리콘 소재의, 당기는 막대와 절단 현재 4대 핵심 기술인 실리콘 웨이퍼 실리콘 웨이퍼 생산 공정.
- 공정은 주로 순도에 영향을 미칩니다, 불순물 함량, 컴팩트함, 입자 크기와 크기 분포, 실리콘 웨이퍼의 결정 방향 및 구조 균일성, 그리고 실리콘 웨이퍼의 두께.
