半导体硅片按不同参数分类

硅片是重要的半导体材料, 半导体硅片按不同参数分类 10 十亿美元.

半导体硅片按不同参数分类 (半导体硅片按不同参数分类) 可用于制造半导体器件和集成电路, 是半导体产业的基础.

半导体材料的研究始于19世纪，发展到第四代半导体材料, 每一代半导体材料相得益彰.

第一代半导体: 以硅为代表 (和), 锗 (葛), 等等, 是由单一元素组成的元素半导体材料.

硅半导体材料及其集成电路的发展带动了微型计算机的出现和整个信息产业的飞跃.

第二代半导体: 以砷化镓为代表 (砷化镓), 磷化铟 (磷), 等等, 包括三元化合物半导体, 例如砷化铝, 砷化镓, 以及一些固溶体半导体, 非静态半导体, 等等.

随着基于光通信的信息高速公路的兴起和社会信息化的发展, 第二代半导体材料已显示出其优越性, 砷化镓和磷化铟半导体激光器已成为光通信系统中的关键器件.

GaAs高速器件也为光纤和移动通信开辟了新产业.

第三代半导体: 以氮化镓为代表的宽带隙半导体材料 (氮化镓), 碳化硅 (碳化硅), 和氧化锌 (氧化锌).

具有高击穿电场等优良特性, 高导热性, 电子饱和率高，抗辐射能力强, 并且更适合高温的生产, 高频, 抗辐射和大功率电子器件.

互联网, 高铁, 新能源汽车, 消费电子等领域具有广阔的应用前景.

第四代半导体: 以氧化镓为代表的超宽带隙半导体材料 (Ga2O3), 钻石 (C), 和氮化铝 (氮化铝), 带隙超过 4eV; 和锑化物 (砷化镓, 锑化铟) 以超窄带隙半导体材料为代表.

超宽禁带材料由于比第三代半导体材料的禁带宽度更宽，在高频功率器件领域具有更加突出的特性优势; 超窄带隙材料由于易于激发和高迁移率，主要用于探测器. , 激光和其他设备.

硅材料制造了世界上大部分的半导体产品, 也是最大的半导体制造材料.

在 1950 年代初期, 锗是主要的半导体材料.

然而, 锗半导体器件耐高温和耐辐射性差, 并在1960年代逐渐被硅材料取代.

由于硅器件的漏电流要低得多, 二氧化硅是优质绝缘体, 作为硅器件的一部分很容易集成.

至今, 半导体器件和集成电路仍以硅材料为主.

世界上大部分的半导体产品. 根据 SEMI 数据, 半导体硅片 (硅片) 也是硅片制造过程中最大的原材料.

https://www.youtube.com/watch?v=N57A-9mi-Mk

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