金刚石线环裁剪 VS 带锯裁剪

金刚石线环裁剪 VS 带锯裁剪

金刚线环在硅片加工中占有优势地位, 金刚石线环裁剪 VS 带锯裁剪?

第一的, 金刚石线环裁剪 VS 带锯裁剪.

金刚石线环裁剪 VS 带锯裁剪. 硅片的制备分为单晶硅和多晶硅的生产工艺和加工工艺.

晶圆加工过程中涉及的制造步骤因晶圆制造商而异.

(1) 单晶硅片加工技术

裁剪→外径圆角→切片→倒角→研磨→腐蚀, 打扫, ETC.

①裁剪: 晶体生长完成后, 沿垂直于晶体生长的方向，将晶硅头尾无用的部分剪掉.

②外径圆角: 在直拉单晶硅中, 由于晶体生长过程中的热振动和热冲击, 水晶表面不是很光滑, 也就是说, 整个单晶硅的直径有一定的波动;

此外, 晶体生长完成后的单晶硅棒表面有平坦的脊, 并需要进一步加工，使整根单晶硅棒的直径均匀. 为了便于后续材料和加工过程中的操作.

③ 切片: 单晶硅球化工艺完成后, 单晶硅棒需要切片. 太阳能电池用单晶硅切片时, 晶体取向等参数, 硅片的平行度和翘曲度不高, 只需要控制硅片的厚度.

④倒角: 单晶硅棒切割成硅片, 晶圆的锐边需要修整成弧形, 主要是防止晶圆边缘开裂和晶格缺陷.

⑤ 打磨: 切片后, 硅片表面产生线痕. 必须通过打磨去除切片造成的锯痕和表面损伤层, 可有效改善翘曲, 单晶硅的平面度和平行度, 并实现抛光工艺.

⑥腐蚀与清洗: 切片后, 硅片表面有机械损伤层, 靠近表面的晶格不完整, 硅片表面被金属颗粒等杂质污染.

所以, 一般切片后, 在准备太阳能电池之前, 硅片需要进行化学腐蚀. 单晶硅片加工中多道工序需要清洗, 而这里的清洗主要是腐蚀后的最后清洗. 清洗的目的是去除晶圆表面的所有污染源.

(2) 多晶硅片加工技术
磨边→磨边→倒角→切片→腐蚀, 打扫, ETC.

①平方：对于方晶硅锭, 硅锭切割后, 它需要切成正方形, 那是, 沿硅锭晶体生长的纵向方向, 将硅锭切割成一定尺寸的矩形硅块.

②研磨面: 修边后的硅块表面会产生线痕, 需要打磨以去除锯痕和方形表面损坏, 有效提高硅块的平面度和平行度，实现抛光工艺.

③倒角: 多晶硅被切割成硅块后, 硅块的尖角需要倒角修整成弧形, 主要是防止硅片边缘开裂, 切割过程中的碎裂和晶格缺陷.

切片及随后的腐蚀和清洗过程与单晶硅几乎相同, 此处不再赘述.

总结, 无论是单晶硅片加工还是多晶硅片加工, 主要有裁剪和切片两个过程.

在大多数硅晶圆制造技术中, 金刚石线在被传统带锯切割后被切割.

这里所说的金刚石线锯是专门为切割硅片而设计的金刚线. 这根线很细, 约0.03mm. 它可以将水晶切成薄片. 需要注意的是不能用于裁剪.

带锯的裁剪刀片较粗，操作方便, 但是刀缝很宽, 既浪费材料又对硅片表面造成严重损伤.
金刚石线锯的线径比较细，不能直接切割水晶.

我们开发了金刚石线环, 这是一种比较粗的金刚石线，可以用来切割水晶. 与带锯相比, 切割速度更快, 刀缝更小, 材料已保存, 切割精度更高. 可以代替带锯裁剪.

这是硅种植视频:

https://www.youtube.com/watch?v=N57A-9mi-Mk

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