单晶加工流程 硅锭 在半导体行业
在单晶硅片制备阶段, 硅单晶锭需要加工成具有较高表面精度和表面质量的原始硅片或裸片，为IC工艺前半程的光刻等工艺平面化做准备. 这里需要超光滑和无损伤的基材表面.
适用于直径≤200mm的硅片, 传统的硅片加工工艺是:
单晶生长 → 裁剪 →外径滚磨→平边或V槽处理→圆片→倒角→研磨→蚀刻→抛光→清洗→包装 .
裁剪 : 目的是切断单晶硅棒的头尾和超出客户规格的部分, 将单晶硅棒切成切片设备可以处理的长度, 切割试片，测量单晶硅棒的电阻率和氧含量. 数量. 该工艺传统上使用金刚石带锯或单根金刚石线来截断. 最近几年, 大规模替代传统截断设备出现后 金刚石线环/环形金刚石线.
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外径磨削: 由于单晶硅棒外径面不平整，直径大于最终抛光片的规定直径规格, 通过外径滚压可以获得更精确的直径.
平边或V型槽加工: 指定处理到参考平面, 以及单晶硅支架上具有特定晶向的平边或V型槽.
硅片切割: 指将单晶硅棒切割成几何尺寸精确的薄片.
倒角: 是指将切割好的晶圆的锋利边缘修整成弧形，以防止芯片边缘开裂和质量缺陷
研磨: 指通过磨削去除切片和砂轮磨削造成的锯痕和表面损伤层, 有效地改变翘曲, 单品硅片的平整度和平行度, 并达到抛光工艺可以处理的规格.
