半导体硅片按不同参数分类

半导体硅片按不同参数分类

根据不同参数分类：

半导体硅片是制造硅半导体产品的基础

半导体硅片按不同参数分类 (半导体硅片按不同参数分类), 半导体硅片按不同参数分类 2 英寸 (50毫米), 3 英寸 (75毫米), 4 英寸 (100毫米), 5 英寸 (125毫米), 6 英寸 (150毫米), 8 英寸 (200毫米), 12 英寸 英寸 (300毫米), 在摩尔定律的影响下, 半导体硅片不断向大尺寸方向发展. 目前, 8 英寸和 12 英寸是主流产品, 占超过 90% 总装运面积.

按兴奋剂水平分类：

根据掺杂程度, 半导体硅片可分为轻掺杂和重掺杂.

• 重掺杂硅片掺杂元素多，电阻率低, 一般用于功率器件等产品;
• 轻掺杂硅片掺杂浓度低，一般用于集成电路领域, 技术难度和产品质量要求较高的.

由于集成电路占超过 80% 全球半导体市场, 全球对轻掺杂硅片的需求更大.

按工艺分类：

根据流程, 半导体硅片可分为研磨片, 抛光晶片, 基于抛光晶圆的特殊晶圆外延片, 所以我, ETC.

• 磨片可用于制造分立器件;
• 轻掺杂抛光片可用于制造大规模集成电路或作为外延片的衬底材料, 和重掺杂抛光片一般用作外延片的衬底材料.
• 与磨料片相比, 抛光片具有更好的表面平整度和清洁度.
• 基于抛光晶片, 退火晶片, 外延片, 可制作SOI晶圆和结隔离晶圆。退火晶圆在氢气或氩气气氛中对抛光晶圆进行高温热处理，去除晶圆表面附近的氧气，可提高表面晶体的完整性.
• 外延晶片是在抛光晶片表面形成一层气相生长的单晶硅, 可满足需要晶体完整性或不同电阻率的多层结构的需要.
• SOI硅片 (绝缘体上硅) 是插入两个抛光晶片之间的高电绝缘氧化膜层, 可以实现高度集成, 低功耗, 设备的高速和高可靠性, 也可用于活性层表面.

形成砷或砷的扩散层. 结隔离硅片基于客户设计, 使用曝光, 离子注入和热扩散技术在晶圆表面预先形成 IC 嵌入层, 然后在上面生长一个外延层.

按应用场景分类:

根据不同的应用场景, 半导体硅片可分为Prime Wafer和Dummy Wafer.

• Prime Wafer 用于制造半导体产品, Dummy Wafer 用于预热, 填补空缺, 检测生产设备的工艺状态或工艺质量.
• 假晶片一般是从晶棒两侧的劣质部分切割出来的. 由于使用量巨大, 符合条件的部分产品将被回收再利用.
• 回收的硅片称为 Reclaimed Wafers. 根据观音网的数据, 65nm工艺晶圆代工厂需要添加 6 每个人的假晶圆 10 正片, 而28nm及以下工艺需要加 15-20 每个人的假晶圆 10 正片.

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