Silisyòm Carbide Apèsi sou lekòl la
Silisyòm carbure (Sic) se yon gwoup IV-V konpoze materyèl semi-conducteurs konpoze de kabòn ak Silisyòm, yon konpoze difisil ki gen Silisyòm ak kabòn.
Kòm yon semiconductor, li trè ra nan lanati epi li rive nan fòm mineral la “Moissanite”, ki jwenn sèlman an ti kantite nan sèten kalite meteyorit, depo korundon ak kimberlit. Prèske tout carbure Silisyòm vann nan mond lan yo jwenn nan sentetik Natirèlman, sa a gen ladan tou Moissanite bijou.
Malgre ke ra sou Latè, li trè komen nan espas, yon fòm pousyè zetwal komen yo jwenn alantou zetwal ki gen kabòn, patikil yo ki te jwenn nan primitif(san chanje) meteyorit .
Pwosesis devlopman
Pwopriyete fizik ak chimik
Fòm prensipal ki egziste nan semi-conducteurs
Fòm prensipal la nan semi-conducteurs se kòm yon materyèl substra;
Ki baze sou karakteristik ekselan li yo, pèfòmans nan limit nan substra carbure Silisyòm se pi bon pase sa yo ki nan substra Silisyòm;
Ka satisfè kondisyon aplikasyon yo anba tanperati ki wo, presyon ki wo, segondè frekans, gwo pouvwa ak lòt kondisyon;
Li se youn nan materyèl ideyal pou fè tanperati ki wo, segondè frekans, gwo pouvwa ak aparèy vòltaj segondè…
Koule pwosesis substrate
Analiz de senk difikilte substrate
Soti nan tablo ki anwo a
Ewopeyen an, Konpayi Ameriken ak Japonè ap dirije, ak Etazini se pi gwo nan mond lan
70%~ 80% nan pwodiksyon mondyal SiC soti nan konpayi Ameriken yo
