Domicile
La plaquette de silicium est un matériau semi-conducteur important, Domicile 10 milliards de dollars américains.
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Domicile, et chaque génération de matériaux semi-conducteurs se complète.
La première génération de semi-conducteurs: représenté par le silicium (Et), germanium (Ge), etc., sont des matériaux semi-conducteurs élémentaires composés d'un seul élément.
Le développement des matériaux semi-conducteurs en silicium et de leurs circuits intégrés a conduit à l'émergence des micro-ordinateurs et à l'essor de toute l'industrie de l'information..
Semi-conducteurs de deuxième génération: représenté par l'arséniure de gallium (AsGa), phosphure d'indium (InP), etc., y compris les semi-conducteurs composés ternaires, comme GaAsAl, GaAsP, ainsi que certains semi-conducteurs en solution solide, semi-conducteurs non statiques, etc..
Avec l'essor de l'autoroute de l'information basée sur la communication optique et le développement de l'informatisation sociale, les matériaux semi-conducteurs de deuxième génération ont montré leur supériorité, et les lasers à semi-conducteurs à l'arséniure de gallium et au phosphure d'indium sont devenus des dispositifs clés dans les systèmes de communication optique.
Les dispositifs à grande vitesse GaAs ont également ouvert de nouvelles industries pour les fibres optiques et les communications mobiles.
La troisième génération de semi-conducteurs: matériaux semi-conducteurs à large bande interdite représentés par du nitrure de gallium (GaN), carbure de silicium (SiC), et oxyde de zinc (ZnO).
Il a d'excellentes propriétés telles qu'un champ électrique de claquage élevé, haute conductivité thermique, taux de saturation électronique élevé et forte résistance aux radiations, et est plus adapté à la production de haute température, haute fréquence, résistance aux radiations et appareils électroniques à haute puissance.
L'Internet, transport ferroviaire à grande vitesse, véhicules à énergies nouvelles, l'électronique grand public et d'autres domaines ont de larges perspectives d'application.
Semi-conducteurs de quatrième génération: matériaux semi-conducteurs à bande interdite ultra large représentés par l'oxyde de gallium (Ga2O3), diamant (C), et nitrure d'aluminium (AIN), avec une bande interdite supérieure à 4eV; et antimoniure (GaSb, InSb) représenté par des matériaux semi-conducteurs à bande interdite ultra-étroite.
Les matériaux à bande interdite ultra large présentent des avantages caractéristiques plus importants dans le domaine des dispositifs de puissance haute fréquence en raison de leurs bandes interdites plus larges que les matériaux semi-conducteurs de troisième génération; les matériaux à bande interdite ultra-étroite sont principalement utilisés dans les détecteurs en raison de leur excitation facile et de leur grande mobilité. , lasers et autres appareils.
Les matériaux de silicium font la plupart des produits semi-conducteurs du monde, et c'est aussi le plus grand matériau de fabrication de semi-conducteurs.
Au début des années 1950, le germanium était le matériau semi-conducteur dominant.
Cependant, les dispositifs semi-conducteurs au germanium ont une faible résistance aux hautes températures et aux radiations, et ont été progressivement remplacés par des matériaux en silicium dans les années 1960.
Étant donné que le courant de fuite des dispositifs au silicium est beaucoup plus faible, et le dioxyde de silicium est un isolant de haute qualité, il est facile à intégrer dans le cadre d'appareils en silicium.
Jusqu'à présent, les dispositifs à semi-conducteurs et les circuits intégrés sont encore principalement constitués de matériaux en silicium.
La plupart des produits semi-conducteurs du monde. Selon les données SEMI, tranches de silicium semi-conducteur (plaquettes de silicium) sont également la matière première la plus importante dans le processus de fabrication des plaquettes de silicium.
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