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La boucle de fil de diamant a une position d'avantage dans le traitement des tranches de silicium, Sep?
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Sep. Dummy Wafer et Monitor Wafer sont généralement coupés de la mauvaise qualité des deux côtés du lingot de silicium.
Dummy Wafer et Monitor Wafer sont généralement coupés de la mauvaise qualité des deux côtés du lingot de silicium.
(1) Technologie de traitement de la plaquette en silicium monocristal
Croping → Arrondi OD → Sélanger → Chanfreinage → Grincement → Corrosion, nettoyage, etc..
Croupement: Une fois la croissance des cristaux terminée, Coupez les parties inutiles de la tête et de la queue de silicium cristallin le long de la direction perpendiculaire à la croissance cristalline.
Arrondi diamètre de la boule: En silicium monocristallin de Czochralski, en raison des vibrations thermiques et des chocs thermiques pendant la croissance des cristaux, La surface cristalline n'est pas très lisse, c'est-à-dire, Le diamètre de l'ensemble du silicium monocristallin fluctue dans une certaine mesure;
En outre, Il y a des arêtes plates à la surface de la tige de silicium monocristal, et un traitement ultérieur est nécessaire pour rendre le diamètre de l'ensemble de la tige de silicium monocristal. Pour faciliter le fonctionnement dans les matériaux et les processus de traitement ultérieurs.
③ Trancher: Une fois le processus de sphéronisation en silicium monocristal, La tige de silicium monocristalliste doit être tranchée. Lorsque vous tranchez du silicium monocristallisé pour les cellules solaires, les paramètres tels que l'orientation cristalline, Le parallélisme et la chaîne de la tranche de silicium ne sont pas élevés, et seule l'épaisseur de la tranche de silicium doit être contrôlée.
④Chamfering: La tige de silicium monocristallite est coupée en plaquettes, et le bord net de la tranche doit être coupé en forme d'arc, Principalement pour empêcher le bord de la tranche de fissurer et les défauts du réseau.
⑤ broyage: Après tranchage, Des marques de ligne sont générées à la surface de la tranche de silicium. Il est nécessaire de retirer les marques de scie et la couche de dégâts de surface causée par le tranchage par broyage, ce qui peut améliorer efficacement le warpage, Planéité et parallélisme du silicium monocristallant, et réaliser un processus de polissage.
Corrosion et nettoyage: Après tranchage, Il y a une couche de dégâts mécaniques à la surface de la tranche de silicium, Le réseau cristallin près de la surface est incomplet, et la surface de la tranche de silicium est contaminée par des impuretés telles que les particules métalliques.
Donc, Après avoir généralement tranché, Avant de préparer la cellule solaire, La tranche de silicium doit être corrodée chimiquement. Le nettoyage est requis à de nombreuses étapes du traitement des plaquettes de silicium monocristallines, Et le nettoyage ici est principalement le nettoyage final après le corrodage. Le but du nettoyage est d'éliminer toutes les sources de contamination de la surface de la plaquette.
(2) Technologie de traitement de la plaquette en silicium polycristallin
CARRAGE → GRINDING → Chanfreinage → Sélanger → Corrosion, nettoyage, etc..
Squaring ：Pour le lingot de silicium cristallin carré, Une fois le lingot en silicium, il doit être coupé en carrés, C'est, le long de la direction longitudinale de la croissance cristalline du lingot de silicium, Le lingot de silicium est coupé en blocs de silicium rectangulaires d'une certaine taille.
② surface degride: Les marques de ligne seront produites à la surface du bloc de silicium après le carré, nécessite du broyage pour éliminer les marques de scie et les dégâts de surface du carré, Améliorer efficacement la planéité et le parallélisme du bloc de silicium pour obtenir un processus de polissage.
③Chamfering: Après que le polysilicon soit coupé en blocs de silicium, Les coins pointus du bloc de silicium doivent être chanfreinés et coupés en forme d'arc, principalement pour empêcher le bord de la tranche de silicium de craquer, Chipping et défauts de réseau pendant la coupe.
Les processus de découpage et de corrodage et de nettoyage ultérieurs sont presque les mêmes que ceux du silicium monocristallin, et ne sera pas répété ici.
Pour résumer, Qu'il s'agisse de traitement de la plaquette en silicium monocristal, Il y a deux principaux processus de culture et de tranchage.
Dans la plupart des technologies de fabrication de plaquettes en silicium, Le fil de diamant est tranché après avoir été coupé par une scie à bande conventionnelle.
La scie à fil de diamant mentionné ici est un fil de diamant spécialement conçu pour couper la plaquette de silicium. Ce fil est très mince, environ 0,03 mm. Il peut couper le cristal en tranches minces. Il convient de noter qu'il ne peut pas être utilisé pour la culture.
La lame de recadrage de la scie à bande est épaisse et facile à utiliser, Mais la couture du couteau est large, qui gaspille les matériaux et cause de graves dommages à la surface de la tranche de silicium.
Le diamètre du fil de la scie à fil de diamant est relativement petit et ne peut pas couper directement le Cryster.
Et nous avons développé une boucle de fil de diamant, qui est un fil de diamant relativement épais qui peut être utilisé pour couper le cri. Par rapport à la scie du groupe, La vitesse de coupe est plus rapide, La couture du couteau est plus petite, le matériel est sauvé, Et la précision de coupe est plus élevée. Peut remplacer la scie de la bande.
Voici la vidéo de recadrage de silicium:
https://www.youtube.com/watch?v=N57A-9mi-Mk
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