Pooljuhträniplaatide klassifitseerimine erinevate parameetrite järgi

Pooljuhträniplaatide klassifitseerimine erinevate parameetrite järgi

Klassifikatsioon erinevate parameetrite alusel：

Semiconductor Silicon Wafer on räni pooljuhttoodete valmistamise alus

Erinevate suuruste järgi (läbimõõdud), pooljuht-ränivahvlid saab jagada 2 tolli (50mm), 3 tolli (75mm), 4 tolli (100mm), 5 tolli (125mm), 6 tolli (150mm), 8 tolli (200mm), 12 tolli Tolli (300mm), Moore'i seaduse mõjul, pooljuht-ränivahvlid arenevad pidevalt suurte mõõtmete suunas. Praegu, 8 tolli ja 12 tollid on tavatooted, moodustades rohkem kui 90% kogu saadetise pinnast.

Klassifitseeritud dopingutaseme järgi：

Vastavalt dopingu astmele, pooljuhträni vahvlid võib jagada kergelt legeeritud ja tugevalt legeeritud.

• Raske legeeritud ränivahvlitel on palju dopingelemente ja väike takistus, ja neid kasutatakse tavaliselt toiteseadmetes ja muudes toodetes;
• Kergega legeeritud räniplaadid on madala dopingukontsentratsiooniga ja neid kasutatakse üldiselt integraallülituste valdkonnas, kõrgemate tehniliste raskustega ja toodete kvaliteedinõuetega.

Kuna integraallülitused moodustavad rohkem kui 80% ülemaailmsest pooljuhtide turust, ülemaailmne nõudlus kergelt legeeritud räniplaatide järele on suurem.

Klassifikatsioon protsessi järgi：

Vastavalt protsessile, pooljuht-ränivahvlid võib jagada lihvimisplaatideks, poleerimisvahvlid, spetsiaalsed poleerimisvahvlitel põhinevad epitaksiaalsed vahvlid, SEEGA MA, jne.

• Lihvimislehti saab kasutada diskreetsete seadmete valmistamiseks;
• Kergelt legeeritud poleerimislehti saab kasutada suuremahuliste integraallülituste valmistamiseks või epitaksiaalplaatide substraatmaterjalina, ja tugevalt legeeritud poleerimislehti kasutatakse üldiselt epitaksiaalsete vahvlite alusmaterjalina.
• Võrreldes abrasiivsete lehtedega, poleerimislehtedel on parem pinnatasasus ja puhtus.
• Poleeritud vahvlite baasil, lõõmutatud vahvlid, epitaksiaalsed vahvlid, Valmistada saab SOI-vahvleid ja ristmike isolatsioonivahvleid.Lõõmutusvahvlid Poleeritud vahvlite kuumtöötlemine kõrgel temperatuuril vesiniku või argooni atmosfääris hapniku eemaldamiseks vahvli pinna lähedalt võib parandada pinnakristallide terviklikkust.
• Epitaksiaalvahv on auruga kasvatatud monokristallist ränikiht, mis on moodustatud poleeritud vahvli pinnale, mis suudab rahuldada mitmekihiliste struktuuride vajadusi, mis nõuavad kristallide terviklikkust või erinevat takistust.
• SOI räni vahvel (Silicon-On-Isolator) on kõrge elektriisolatsiooniga oksiidkilekiht, mis on sisestatud kahe poleeritud vahvli vahele, mis võib saavutada kõrge integratsiooni, madal energiatarve, seadme suur kiirus ja kõrge töökindlus, ja seda saab kasutada ka aktiivse kihi pinnal.

Tekib arseeni ehk arseeni difusioonikiht. Ristmiku isolatsiooniga räniplaadid põhinevad klientide disainidel, kasutades säritust, ioonide implanteerimise ja termilise difusiooni tehnikad, et moodustada vahvli pinnale IC manustatud kiht, ja seejärel kasvata peale epitaksiaalne kiht.

Klassifikatsioon rakendusstsenaariumide järgi:

Vastavalt erinevatele rakendusstsenaariumidele, pooljuht-ränivahvlid võib jagada Prime Waferiks ja Dummy Waferiks.

• Prime Waferit kasutatakse pooljuhttoodete valmistamisel, ja Dummy Waferit kasutatakse soojendamiseks, täitma vabu kohti, ja testida tootmisseadmete protsessi olekut või protsessi kvaliteeti.
• Mannekeenid vahvlid lõigatakse tavaliselt kristallvarda mõlemalt küljelt halva kvaliteediga osadest. Suure kasutamise tõttu, osa tooteid võetakse ringlusse ja taaskasutatakse, kui tingimused on täidetud.
• Taaskasutatud ränivahvleid nimetatakse taaskasutatud vahvliteks. Guanyan.com andmetel, 65nm protsessiga vahvlivalukoda vajab lisamist 6 võlts vahvlid igale 10 positiivsed vahvlid, ja 28 nm ja alla protsessi tuleb lisada 15-20 võlts vahvlid igale 10 positiivsed vahvlid.

https://www.youtube.com/watch?v=N57A-9mi-Mk

Võta meiega ühendust rohkem teada saada !

ja siin on huvitavamaid rakendusi .