Der er mange fremstillingsprocesser for halvledersiliciumwafers, og industribarriererne er høje
Fremstillingsprocessen for halvledersiliciumwafers er kompleks, og enkeltkrystaltræk er nøgleleddet
Opstrøms for halvlederwafere er polysiliciummateriale af halvlederkvalitet, og downstream er halvlederprodukter.
Fremstillingsprocessen for halvledersiliciumwafers er kompleks, hovedsageligt inklusive processer som at trække enkeltkrystaller og skære, slibning, polering og epitaksi af siliciumwafers.
Produktionsprocessen af halvledersiliciumwafers er kompleks og involverer mange processer. Slibepladeprocessen omfatter trækning af enkeltkrystal, afkortning, sfæronisering, udskæring, affasning, slibning, etc.
Polerpladen fremstilles på basis af slibepladen gennem kantpolering, overfladepolering og andre processer; Den siliciumudglødede plade fremstilles ved udglødningsvarmebehandling, og silicium-på-isolatoren SOI fremstilles ved en speciel proces.
Siliciumwafers skal renses mange gange under fremstillingsprocessen, og de skal også efterses og pakkes, før de sælges til kunder.
Halvledersiliciumwaferindustrien har høje barrierer, og first-mover-fordel og skalaeffekt er fremtrædende
Tekniske barrierer: De tekniske parametre for halvledersiliciumwafers er stærkt påkrævede, og hvert proceslink skal akkumuleres i lang tid.
Kerneprocesserne i halvledersiliciumwafers omfatter enkeltkrystalproces, udskæringsproces, slibeproces, poleringsproces, epitaksi proces, etc. Teknologien har en høj grad af specialisering.
Blandt dem, enkeltkrystalprocessen er den mest centrale teknologi, som bestemmer størrelsen, resistivitet, Tekniske nøgleindikatorer såsom renhed, iltindhold, dislokation, krystaldefekter, etc., skal være opmærksom på temperaturkontrol og trækhastighed i processen med enkeltkrystalvækst.
Waferslibning og poleringsprocesser bestemmer tykkelsen, overfladens fladhed, overflade renhed, overfladegranularitet, skævhed og andre indikatorer for siliciumwaferen. Fokus for den epitaksiale proces er at sikre ensartetheden af tykkelsen af det epitaksiale lag og intra-chip ensartetheden af det epitaksiale lags resistivitet.
Barrierer for kundecertificering: Chipproducenter er forsigtige med at introducere nye leverandører og har lange certificeringscyklusser. Halvleder silicium wafers er et vigtigt råmateriale for chipproducenter til at producere halvlederprodukter.
Chipproducenter er forsigtige med at introducere nye leverandører. For at sikre stabilitet og konsistens af produktkvalitet, en lang certificeringscyklus er påkrævet. Som regel, chipfremstillingsvirksomheder vil kræve, at siliciumwaferleverandører leverer nogle siliciumwafers til deres prøveproduktion.
Efter bestået intern certificering, chipfremstillingsvirksomheden vil sende produkterne til downstream-kunder og opnå godkendelse fra deres kunder. Leverandøren er certificeret, og endelig er indkøbskontrakten formelt underskrevet.
Kapitalbarrierer og skalabarrierer: Halvleder silicium wafers industrien er en kapitalintensiv industri og kræver en vis salgsskala for at være rentabel. Storskalaproduktion af halvledersiliciumwafers kræver et stort investeringsbeløb.
For eksempel, Et nøgleproduktionsudstyr er værd titusinder af millioner af renminbi, og investeringsbeløbet for en storstilet siliciumwafer-produktionslinje er en milliard yuan. På samme tid, på grund af de store investeringer i anlægsaktiver i den tidlige fase, halvlederwafervirksomheder skal danne en vis salgsskala, før de kan tjene penge.
Driftspresset i den tidlige fase er relativt stort, og bruttoavancen kan være negativ.
Talentbarrierer: Virksomheder med halvledersiliciumwafers har brug for sammensatte talenter. Den R&D og produktionsprocessen af halvleder silicium wafers er relativt kompleks, involverer skæringspunktet mellem faststoffysik, kvantemekanik, termodynamik, kemi og andre tværfaglige områder.
Derfor, sammensatte talenter med omfattende faglig viden og rig produktionserfaring er påkrævet.
https://www.youtube.com/watch?v=N57A-9mi-Mk
Kontakt os at vide mere !
og her er mere interessante applikationer .
