Diamanttrådsløkkebeskæring VS Båndsavbeskæring
Diamanttrådsløkkebeskæring VS Båndsavbeskæring
Diamanttrådsløkke har en fordelagtig position i behandlingen af siliciumwafers, Diamanttrådsløkkebeskæring VS Båndsavbeskæring?
Først, Diamanttrådsløkkebeskæring VS Båndsavbeskæring.
Diamanttrådsløkkebeskæring VS Båndsavbeskæring. Fremstillingen af siliciumwafers er opdelt i produktionsprocessen og forarbejdningsteknologien af monokrystallinsk silicium og polykrystallinsk silicium.
Fremstillingstrinene, der er involveret i waferbehandlingsprocessen, varierer afhængigt af waferproducenten.
(1) Single krystal silicium wafer processing teknologi
Beskæring → OD-afrunding → udskæring → affasning → slibning → korrosion, rengøring, etc.
①Beskæring: Efter krystalvæksten er afsluttet, skær de ubrugelige dele af det krystallinske siliciumhoved og hale af i retningen vinkelret på krystalvæksten.
②Udvendig diameter afrunding: I Czochralski monokrystallinsk silicium, på grund af termisk vibration og termisk chok under krystalvækst, krystaloverfladen er ikke særlig glat, det vil sige, diameteren af hele det monokrystallinske silicium svinger til en vis grad;
Desuden, der er flade kamme på overfladen af enkeltkrystalsiliciumstangen efter krystalvæksten er afsluttet, og yderligere forarbejdning er påkrævet for at gøre diameteren af hele enkeltkrystalsiliciumstangen ensartet. For nem betjening i efterfølgende materialer og forarbejdningsprocesser.
③ Udskæring: Efter at enkeltkrystal siliciumsfæroniseringsprocessen er afsluttet, enkeltkrystal siliciumstangen skal skæres i skiver. Ved udskæring af enkeltkrystal silicium til solceller, parametrene såsom krystalorienteringen, parallelitet og vridning af siliciumwaferen er ikke høj, og kun tykkelsen af siliciumwaferen skal kontrolleres.
④Affasning: Enkeltkrystal siliciumstangen skæres i wafers, og den skarpe kant af waferen skal trimmes til en bueform, hovedsageligt for at forhindre, at kanten af waferen revner og gitterdefekter.
⑤ Slibning: Efter udskæring, stregmærker genereres på overfladen af siliciumwaferen. Det er nødvendigt at fjerne savmærker og overfladeskader forårsaget af udskæringen ved slibning, som effektivt kan forbedre skævheden, fladhed og parallelitet af enkeltkrystal silicium, og opnå en poleringsproces.
⑥ Korrosion og rengøring: Efter udskæring, der er et mekanisk beskadigelseslag på overfladen af siliciumwaferen, krystalgitteret nær overfladen er ufuldstændigt, og overfladen af siliciumwaferen er forurenet med urenheder såsom metalpartikler.
Derfor, efter almindelig udskæring, inden klargøring af solcellen, siliciumwaferen skal være kemisk korroderet. Rengøring er påkrævet i mange trin i behandlingen af enkeltkrystal siliciumwafers, og rengøringen her er hovedsageligt slutrengøringen efter korrodering. Formålet med rengøringen er at fjerne alle kilder til forurening fra waferoverfladen.
(2) Teknologi til behandling af polykrystallinsk siliciumwafer
Opskæring → slibning → affasning → udskæring → korrosion, rengøring, etc.
①Squaring ：Til den firkantede krystallinske siliciumbarre, efter at siliciumbarren er skåret, det skal skæres i firkanter, det er, langs den langsgående retning af krystalvæksten af siliciumbarren, siliciumbarren skæres i rektangulære siliciumblokke af en vis størrelse.
②Slibeflade: Stregmærker vil blive produceret på overfladen af siliciumblokken efter firkantering, kræver slibning for at fjerne savmærker og overfladeskader fra firkantning, forbedrer effektivt siliciumblokkens fladhed og parallelitet for at opnå en poleringsproces.
③Affasning: Efter at polysilicium skæres i siliciumblokke, siliciumblokkens skarpe hjørner skal affases og trimmes til en bueform, hovedsageligt for at forhindre kanten af siliciumwaferen i at revne, afhugning og gitterfejl under skæring.
Udskærings- og efterfølgende korroderings- og rengøringsprocesser er næsten de samme som for enkeltkrystal silicium, og vil ikke blive gentaget her.
For at opsummere, om det er enkeltkrystal silicium wafer behandling eller polykrystallinsk silicium wafer behandling, der er to hovedprocesser med beskæring og udskæring.
I de fleste siliciumwafer-fremstillingsteknologier, diamanttråden skæres i skiver efter at være blevet skåret af en konventionel båndsav.
Diamanttrådsaven nævnt her er en diamanttråd specielt designet til at skære siliciumwafer. Denne ledning er meget tynd, omkring 0,03 mm. Det kan skære krystallen i tynde skiver. Det skal bemærkes, at det ikke kan bruges til beskæring.
Båndsavens skæreblad er tykt og let at betjene, men knivsømmen er bred, som spilder materialer og forårsager alvorlig skade på siliciumwaferens overflade.
Tråddiameteren på diamantwiresaven er relativt lille og kan ikke direkte skære krysteren.
Og vi har udviklet en diamanttrådsløkke, som er en forholdsvis tyk diamanttråd, der kan bruges til at skære kryster. Sammenlignet med båndsaven, skærehastigheden er hurtigere, knivsømmen er mindre, materialet er gemt, og skærepræcisionen er højere. Kan erstatte beskæring af båndsav.
Her er siliciumbeskæringsvideoen:
https://www.youtube.com/watch?v=N57A-9mi-Mk
Kontakt os at vide mere !
og her er mere interessante applikationer .
