Klassificering af halvleder silicium wafers i henhold til forskellige parametre

Klassificering baseret på forskellige parametre：

Semiconductor Silicon Wafer er grundlaget for fremstilling af silicium halvlederprodukter

I henhold til forskellige størrelser (diametre), halvleder silicium wafers kan opdeles i 2 tommer (50mm), 3 tommer (75mm), 4 tommer (100mm), 5 tommer (125mm), 6 tommer (150mm), 8 tommer (200mm), 12 inches inch (300mm), Under påvirkning af Moore's lov, halvleder silicium wafers udvikler sig konstant i retning af stor størrelse. I øjeblikket, 8 tommer og 12 inches er mainstream -produkter, står for mere end 90% af det samlede forsendelsesareal.

Klassificeret i henhold til dopingniveau：

Alt efter graden af doping, halvleder silicium wafers kan opdeles i let dopede og stærkt dopede.

Tungt-doterede siliciumwafers har en stor mængde af dopingelementer og lav resistivitet, og bruges generelt i strømforsyninger og andre produkter;
Lysdopede siliciumskiver har en lav dopingkoncentration og bruges generelt inden for integrerede kredsløb, med højere tekniske vanskeligheder og krav til produktkvalitet.

Da integrerede kredsløb tegner sig for mere end 80% af det globale halvledermarked, der er en større global efterspørgsel efter let doterede siliciumwafers.

Klassificering i henhold til processen：

Ifølge processen, halvleder silicium wafers kan opdeles i slibende wafers, polering af wafers, særlige wafer epitaksiale wafere baseret på polerende wafers, SÅ JEG, etc.

Slibeplader kan bruges til at fremstille diskrete enheder;
Let doterede poleringsplade kan bruges til at fremstille integrerede kredsløb i stor skala eller som substratmaterialer til epitaksiale skiver, og stærkt doterede polerplader bruges generelt som substratmaterialer til epitaksiale wafere.
Sammenlignet med slibende plader, polerplader har bedre overfladeplanhed og renhed.
På grundlag af polerede skiver, Annealed Wafers, Epitaksiale skiver, SOI -skiver og forbindelsesisoleringsskiver kan fremstilles. Annalende skiver Højtemperaturvarmebehandling af polerede skiver i et brint- eller argonatmosfære for at fjerne ilt nær skiven.
Epitaksial skive er et lag af dampvokset enkelt krystalsilicium dannet på overfladen af den polerede skive, som kan imødekomme behovene i flerlagsstrukturer, der kræver krystalintegritet eller forskellig resistivitet.
Soi Silicon Wafer (Silicium-på-isolator) er et højt elektrisk isolerende oxidfilmlag indsat mellem to polerede skiver, som kan opnå høj integration, lavt strømforbrug, Enhedens høje hastighed og høj pålidelighed, og kan også bruges på overfladen af det aktive lag.

Et diffusionslag af arsen eller arsen dannes. Junction Isolation Silicon Wafers er baseret på kundedesign, ved hjælp af eksponering, Ionimplantation og termiske diffusionsteknikker til at foredle et IC-indlejret lag på skiven overflade, og dyrk derefter et epitaksialt lag på toppen.

Klassificering i henhold til applikationsscenarier:

I henhold til forskellige applikationsscenarier, Halvleder siliciumskiver kan opdeles i prime skive og dummy skive.

Prime Wafer bruges til fremstilling af halvlederprodukter, Og dummy wafer bruges til at varme op, udfyld ledige stillinger, og test processtatus for produktionsudstyr eller kvaliteten af en proces.
Dummy -skiverne er generelt skåret fra dele af de dårlige kvaliteter på begge sider af krystalstangen. På grund af den enorme mængde brug, Nogle produkter genanvendes og genanvendes, hvis betingelserne er opfyldt.
De genanvendte siliciumskiver kaldes genvundne skiver. I henhold til dataene fra Guanyan.com, 65nm Process Wafer -støberi skal tilføje 6 falske skiver til enhver 10 positive skiver, og 28nm og under processen skal tilføje 15-20 falske skiver til enhver 10 positive skiver.

https://www.youtube.com/watch?v=N57A-9mi-Mk

Kontakt os at vide mere !

og her er mere interessante applikationer .

Klassificering af halvleder silicium wafers i henhold til forskellige parametre