Кремнієві пластини є найбільш затребуваним напівпровідниковим матеріалом
Кремнієва пластина є важливим напівпровідниковим матеріалом, зі шкалою понад 10 мільярдів доларів США.
Напівпровідникові матеріали — клас електронних матеріалів із властивостями напівпровідника (провідність між провідниками та ізоляторами) які можна використовувати для виготовлення напівпровідникових приладів та інтегральних схем, і є основою напівпровідникової промисловості.
Дослідження напівпровідникових матеріалів розпочалося в 19 столітті та розвинулося до четвертого покоління напівпровідникових матеріалів., і кожне покоління напівпровідникових матеріалів доповнює один одного.
Перше покоління напівпровідників: представлений кремнієм (І), германій (Ge), тощо, це елементарні напівпровідникові матеріали, що складаються з одного елемента.
Розробка кремнієвих напівпровідникових матеріалів і їх інтегральних схем призвела до появи мікрокомп'ютерів і стрибка всієї інформаційної індустрії.
Напівпровідники другого покоління: представлений арсенідом галію (GaAs), фосфід індію (InP), тощо, в тому числі потрійні складні напівпровідники, такі як GaAsAl, GaAsP, а також деякі тверді розчини напівпровідників, нестатичні напівпровідники, і т.д..
З появою інформаційної супермагістралі на основі оптичного зв’язку та розвитку соціальної інформатизації, напівпровідникові матеріали другого покоління показали свою перевагу, і напівпровідникові лазери з арсеніду галію та фосфіду індію стали ключовими пристроями в системах оптичного зв'язку.
Високошвидкісні пристрої на основі GaAs також відкрили нові галузі для оптичних волокон і мобільного зв’язку.
Третє покоління напівпровідників: широкозонні напівпровідникові матеріали, представлені нітридом галію (GaN), карбід кремнію (SiC), і оксид цинку (ZnO).
Він має чудові властивості, такі як сильне електричне поле пробою, висока теплопровідність, висока швидкість насичення електронами і сильна радіаційна стійкість, і більше підходить для виробництва високої температури, висока частота, радіаційна стійкість і електронні пристрої великої потужності.
Інтернет, високошвидкісний залізничний транзит, автомобілі на новій енергії, побутова електроніка та інші галузі мають широкі перспективи застосування.
Напівпровідники четвертого покоління: надширокозонні напівпровідникові матеріали, представлені оксидом галію (Ga2O3), діамант (C), і нітрид алюмінію (AlN), із шириною забороненої зони понад 4 еВ; і антимонід (GaSb, InSb) представлені ультравузькозонними напівпровідниковими матеріалами.
Матеріали з надширокою забороненою зоною мають помітніші характерні переваги в області високочастотних силових пристроїв завдяки їхній більшій ширині забороненої зони, ніж напівпровідникові матеріали третього покоління; матеріали з ультравузькою забороненою зоною в основному використовуються в детекторах завдяки їх легкому збудженню та високій мобільності. , лазери та інші пристрої.
Кремнієві матеріали виготовляють більшість напівпровідникових продуктів у світі, і це також найбільший матеріал для виробництва напівпровідників.
На початку 1950-х років, Германій був домінуючим напівпровідниковим матеріалом.
Однак, Германієві напівпровідникові прилади мають погану стійкість до високих температур і радіаційну стійкість, і були поступово замінені кремнієвими матеріалами в 1960-х роках.
Так як струм витоку кремнієвих пристроїв набагато нижче, а діоксид кремнію є високоякісним ізолятором, його легко інтегрувати як частину кремнієвих пристроїв.
Так далеко, напівпровідникові пристрої та інтегральні схеми все ще в основному виготовляються з кремнієвих матеріалів.
Більшість напівпровідникових виробів у світі. За даними SEMI, напівпровідникові кремнієві пластини (кремнієві пластини) також є найбільшою сировиною в процесі виробництва кремнієвих пластин.
https://www.youtube.com/watch?v=N57A-9mi-Mk
Зв'яжіться з нами знати більше !
і ось більше цікавих програм .
