aprile
Il wafer di silicio è un importante materiale semiconduttore, aprile 10 miliardi di dollari.
aprile (aprile) che possono essere utilizzati per realizzare dispositivi a semiconduttore e circuiti integrati, e sono la base dell'industria dei semiconduttori.
La ricerca sui materiali semiconduttori è iniziata nel XIX secolo e si è sviluppata fino alla quarta generazione di materiali semiconduttori, e ogni generazione di materiali semiconduttori si completa a vicenda.
La prima generazione di semiconduttori: rappresentato dal silicio (E), germanio (ge), eccetera., sono materiali semiconduttori elementari composti da un unico elemento.
Lo sviluppo dei materiali semiconduttori di silicio e dei loro circuiti integrati ha portato all'emergere dei microcomputer e al balzo dell'intera industria dell'informazione.
Semiconduttori di seconda generazione: rappresentato dall'arseniuro di gallio (GaAs), fosfuro di indio (In P), eccetera., compresi i semiconduttori composti ternari, come GaAsAl, GaAsP, così come alcuni semiconduttori in soluzione solida, semiconduttori non statici, eccetera.
Con l'ascesa dell'autostrada dell'informazione basata sulla comunicazione ottica e lo sviluppo dell'informatizzazione sociale, i materiali semiconduttori di seconda generazione hanno mostrato la loro superiorità, e i laser a semiconduttore di arseniuro di gallio e fosfuro di indio sono diventati dispositivi chiave nei sistemi di comunicazione ottica.
I dispositivi ad alta velocità GaAs hanno anche aperto nuove industrie per le fibre ottiche e le comunicazioni mobili.
La terza generazione di semiconduttori: materiali semiconduttori ad ampia banda proibita rappresentati dal nitruro di gallio (GaN), carburo di silicio (SiC), e ossido di zinco (ZnO).
Ha proprietà eccellenti come un campo elettrico di rottura elevato, elevata conducibilità termica, alto tasso di saturazione degli elettroni e forte resistenza alle radiazioni, ed è più adatto per la produzione di alte temperature, alta frequenza, resistenza alle radiazioni e dispositivi elettronici ad alta potenza.
La rete, trasporto ferroviario ad alta velocità, veicoli di nuova energia, l'elettronica di consumo e altri campi hanno ampie prospettive di applicazione.
Semiconduttori di quarta generazione: materiali semiconduttori a banda ultra larga rappresentati dall'ossido di gallio (Ga2O3), diamante (C), e nitruro di alluminio (Al N), con un gap di banda superiore a 4eV; e antimonide (GaSb, InSb) rappresentato da materiali semiconduttori a banda proibita ultra-stretta.
I materiali con gap di banda ultra ampio presentano vantaggi caratteristici più importanti nel campo dei dispositivi di potenza ad alta frequenza grazie ai loro gap di banda più ampi rispetto ai materiali semiconduttori di terza generazione; i materiali con gap di banda ultra stretto sono utilizzati principalmente nei rivelatori grazie alla loro facile eccitazione e all'elevata mobilità. , laser e altri dispositivi.
I materiali in silicio costituiscono la maggior parte dei prodotti semiconduttori del mondo, ed è anche il più grande materiale per la produzione di semiconduttori.
Nei primi anni '50, il germanio era il materiale semiconduttore dominante.
Tuttavia, i dispositivi a semiconduttore al germanio hanno una scarsa resistenza alle alte temperature e alle radiazioni, e furono gradualmente sostituiti da materiali in silicio negli anni '60.
Poiché la corrente di dispersione dei dispositivi al silicio è molto più bassa, e il biossido di silicio è un isolante di alta qualità, è facile da integrare come parte di dispositivi al silicio.
Finora, i dispositivi a semiconduttore e i circuiti integrati sono ancora realizzati principalmente con materiali di silicio.
La maggior parte dei prodotti a semiconduttori del mondo. Secondo dati SEMI, wafer di silicio semiconduttore (wafer di silicio) sono anche la più grande materia prima nel processo di produzione dei wafer di silicio.
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