Siliziumwafer sind das gefragteste Halbleitermaterial
Siliziumwafer ist ein wichtiges Halbleitermaterial, Siliziumwafer sind das gefragteste Halbleitermaterial 10 Milliarden US-Dollar.
Siliziumwafer sind das gefragteste Halbleitermaterial (Siliziumwafer sind das gefragteste Halbleitermaterial) die zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und integrierten Schaltkreisen verwendet werden können, und sind die Basis der Halbleiterindustrie.
Die Forschung an Halbleitermaterialien begann im 19. Jahrhundert und hat sich bis zur vierten Generation von Halbleitermaterialien entwickelt, und jede Generation von Halbleitermaterialien ergänzt sich gegenseitig.
Die erste Generation von Halbleitern: repräsentiert durch Silizium (Und), Germanium (Ge), usw., sind elementare Halbleitermaterialien, die aus einem einzigen Element bestehen.
Die Entwicklung von Silizium-Halbleitermaterialien und ihren integrierten Schaltungen hat zur Entstehung von Mikrocomputern und zum Sprung der gesamten Informationsindustrie geführt.
Halbleiter der zweiten Generation: vertreten durch Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP), usw., einschließlich ternärer Verbindungshalbleiter, wie GaAsAl, GaAsP, sowie einige Festlösungshalbleiter, nicht statische Halbleiter, usw.
Mit dem Aufkommen der Datenautobahn auf Basis optischer Kommunikation und der Entwicklung der sozialen Informatisierung, Die Halbleitermaterialien der zweiten Generation haben ihre Überlegenheit gezeigt, und Galliumarsenid- und Indiumphosphid-Halbleiterlaser sind zu Schlüsselgeräten in optischen Kommunikationssystemen geworden.
GaAs-Hochgeschwindigkeitsgeräte haben auch neue Industrien für optische Fasern und mobile Kommunikation erschlossen.
Die dritte Generation von Halbleitern: Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke, repräsentiert durch Galliumnitrid (GaN), Siliziumkarbid (SiC), und Zinkoxid (ZnO).
Es hat hervorragende Eigenschaften wie ein hohes elektrisches Durchschlagsfeld, hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Elektronensättigungsrate und starke Strahlungsbeständigkeit, und ist besser geeignet für die Produktion von Hochtemperatur, Hochfrequenz, Strahlungsbeständigkeit und elektronische Hochleistungsgeräte.
Das Internet, Hochgeschwindigkeits-Schienenverkehr, neue Energiefahrzeuge, Unterhaltungselektronik und andere Bereiche haben breite Anwendungsperspektiven.
Halbleiter der vierten Generation: Halbleitermaterialien mit ultrabreiter Bandlücke, vertreten durch Galliumoxid (Ga2O3), Diamant (C.), und Aluminiumnitrid (AlN), mit einer Bandlücke von mehr als 4 eV; und Antimonid (GaSb, InSb) repräsentiert durch Halbleitermaterialien mit ultraschmaler Bandlücke.
Materialien mit ultrabreiter Bandlücke haben aufgrund ihrer breiteren Bandlücken deutlichere charakteristische Vorteile auf dem Gebiet der Hochfrequenz-Leistungsbauelemente als Halbleitermaterialien der dritten Generation; Materialien mit ultraschmaler Bandlücke werden aufgrund ihrer einfachen Anregung und hohen Mobilität hauptsächlich in Detektoren verwendet. , Laser und andere Geräte.
Siliziummaterialien machen die meisten Halbleiterprodukte der Welt aus, und es ist auch das größte Halbleiterherstellungsmaterial.
In den frühen 1950er Jahren, Germanium war das vorherrschende Halbleitermaterial.
Jedoch, Germanium-Halbleitervorrichtungen haben eine schlechte Hochtemperaturbeständigkeit und Strahlungsbeständigkeit, und wurden in den 1960er Jahren nach und nach durch Siliziummaterialien ersetzt.
Da der Leckstrom von Siliziumgeräten viel geringer ist, und Siliziumdioxid ist ein hochwertiger Isolator, es ist einfach als Teil von Siliziumgeräten zu integrieren.
Bisher, Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise werden immer noch hauptsächlich aus Siliziummaterialien hergestellt.
Die meisten Halbleiterprodukte der Welt. Nach SEMI-Daten, Halbleiter-Siliziumwafer (Siliziumscheibe) sind auch der größte Rohstoff im Herstellungsprozess von Siliziumwafern.
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